FQB1N60TM - MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

Référence fabricant

FQB1N60TM

Numéro de pièce interne

ABC-FQB1N60TM

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQB1N60TM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQB1N60TM

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 Ohm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.13W (Ta), 40W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQB , FQB1

Documents pour FQB1N60TM

Feuilles de données : FQB1N60TM.pdf

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