APTSM120AM55CT1AG - POWER MODULE - SIC

Référence fabricant

APTSM120AM55CT1AG

Numéro de pièce interne

ABC-APTSM120AM55CT1AG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

POWER MODULE - SIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

33507 Pieces

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Spécifications pour APTSM120AM55CT1AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTSM120AM55CT1AG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : POWER MODULE - SIC

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 2mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 272nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5120pF @ 1000V

Puissance - Max : 470W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP1

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTSM , APTSM120

Documents pour APTSM120AM55CT1AG

Feuilles de données : APTSM120AM55CT1AG.pdf

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