W987D2HBJX7E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Référence fabricant

W987D2HBJX7E TR

Numéro de pièce interne

ABC-W987D2HBJX7E TR

Fabricant

Winbond Electronics

Brève description

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

333284 Pieces

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Spécifications pour W987D2HBJX7E TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : W987D2HBJX7E TR

Fabricant : Winbond Electronics

La description : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPSDR

Taille mémoire : 128Mb (4M x 32)

Fréquence d'horloge : 133MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns

Temps d'accès : 5.4ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V

Température de fonctionnement : -25°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 90-TFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 90-VFBGA (8x13)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : W987D , W987D2H

Documents pour W987D2HBJX7E TR

Feuilles de données : W987D2HBJX7E TR.pdf

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