ES1JLHMTG - DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Référence fabricant

ES1JLHMTG

Numéro de pièce interne

ABC-ES1JLHMTG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

8726333 Pieces

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Spécifications pour ES1JLHMTG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : ES1JLHMTG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 35ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-219AB

Package d'appareils du fournisseur : Sub SMA

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : ES1 , ES1J

Documents pour ES1JLHMTG

Feuilles de données : ES1JLHMTG.pdf

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