MRF8VP13350GNR3 - TRANS RF LDMOS 350W 50V

Référence fabricant

MRF8VP13350GNR3

Numéro de pièce interne

ABC-MRF8VP13350GNR3

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

TRANS RF LDMOS 350W 50V

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

34578 Pieces

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Spécifications pour MRF8VP13350GNR3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MRF8VP13350GNR3

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : TRANS RF LDMOS 350W 50V

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de transistor : LDMOS (Dual)

La fréquence : 1.3GHz

Gain : 19.2dB

Tension - Test : 50V

Note actuelle : -

Figure de bruit : -

Courant - Test : 100mA

Puissance - sortie : 350W

Tension - nominale : 100V

Paquet / caisse : OM-780G-4L

Package d'appareils du fournisseur : OM-780G-4L

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MRF8V , MRF8VP1

Documents pour MRF8VP13350GNR3

Feuilles de données : MRF8VP13350GNR3.pdf

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