STI12N65M5 - MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Référence fabricant

STI12N65M5

Numéro de pièce interne

ABC-STI12N65M5

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour STI12N65M5

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STI12N65M5

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Séries : MDmesh™ V

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 70W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STI , STI12

Documents pour STI12N65M5

Feuilles de données : STI12N65M5.pdf

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