BYG10M-M3/TR3 - DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Référence fabricant

BYG10M-M3/TR3

Numéro de pièce interne

ABC-BYG10M-M3/TR3

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BYG10M-M3/TR3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BYG10M-M3/TR3

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Avalanche

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.5A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.15V @ 1.5A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 4µs

Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 1000V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AC, SMA

Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BYG1 , BYG10M

Documents pour BYG10M-M3/TR3

Feuilles de données : BYG10M-M3/TR3.pdf

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