SQJ912BEP-T1_GE3 - MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Référence fabricant

SQJ912BEP-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQJ912BEP-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SQJ912BEP-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQJ912BEP-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V

Puissance - Max : 48W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQJ91 , SQJ912BE

Documents pour SQJ912BEP-T1_GE3

Feuilles de données : SQJ912BEP-T1_GE3.pdf

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