BS107PSTZ - MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Référence fabricant

BS107PSTZ

Numéro de pièce interne

ABC-BS107PSTZ

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BS107PSTZ

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BS107PSTZ

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.6V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 85pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : E-Line (TO-92 compatible)

Paquet / caisse : E-Line-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BS1 , BS10

Documents pour BS107PSTZ

Feuilles de données : BS107PSTZ.pdf

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