IRFU120ZPBF - MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

Référence fabricant

IRFU120ZPBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFU120ZPBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRFU120ZPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFU120ZPBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 35W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : IPAK (TO-251)

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRF , IRFU1

Documents pour IRFU120ZPBF

Feuilles de données : IRFU120ZPBF.pdf

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