1SS196(TE85L,F) - DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Référence fabricant

1SS196(TE85L,F)

Numéro de pièce interne

ABC-1SS196(TE85L,F)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour 1SS196(TE85L,F)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : 1SS196(TE85L,F)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 100mA

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 100mA

La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Temps de récupération inverse (trr) : 4ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 80V

Capacité @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareils du fournisseur : SC-59-3

Température de fonctionnement - Jonction : 125°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : 1SS19 , 1SS196(

Documents pour 1SS196(TE85L,F)

Feuilles de données : 1SS196(TE85L,F).pdf

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