MUR4L20HB0G - DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Référence fabricant

MUR4L20HB0G

Numéro de pièce interne

ABC-MUR4L20HB0G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

2508226 Pieces

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Spécifications pour MUR4L20HB0G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MUR4L20HB0G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 4A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 890mV @ 4A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 25ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : 65pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : DO-201AD, Axial

Package d'appareils du fournisseur : DO-201AD

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MUR , MUR4L

Documents pour MUR4L20HB0G

Feuilles de données : MUR4L20HB0G.pdf

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