BSP300L6327HUSA1 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Référence fabricant

BSP300L6327HUSA1

Numéro de pièce interne

ABC-BSP300L6327HUSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BSP300L6327HUSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSP300L6327HUSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSP30 , BSP300L6

Documents pour BSP300L6327HUSA1

Feuilles de données : BSP300L6327HUSA1.pdf

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