SIB911DK-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Référence fabricant

SIB911DK-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIB911DK-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SIB911DK-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIB911DK-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 P-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 10V

Puissance - Max : 3.1W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-75-6L Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIB91 , SIB911D

Documents pour SIB911DK-T1-GE3

Feuilles de données : SIB911DK-T1-GE3.pdf

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