VS-2EGH02HM3_A/I - DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Référence fabricant

VS-2EGH02HM3_A/I

Numéro de pièce interne

ABC-VS-2EGH02HM3_A/I

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour VS-2EGH02HM3_A/I

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VS-2EGH02HM3_A/I

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

Séries : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 2A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 900mV @ 2A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 25ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 2µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-214AA, SMB

Package d'appareils du fournisseur : SMB (DO-214AA)

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VS-2E , VS-2EGH0

Documents pour VS-2EGH02HM3_A/I

Feuilles de données : VS-2EGH02HM3_A/I.pdf

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