DMT6018LDR-13 - MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Référence fabricant

DMT6018LDR-13

Numéro de pièce interne

ABC-DMT6018LDR-13

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMT6018LDR-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMT6018LDR-13

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 869pF @ 30V

Puissance - Max : 1.9W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Package d'appareils du fournisseur : V-DFN3030-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMT6 , DMT601

Documents pour DMT6018LDR-13

Feuilles de données : DMT6018LDR-13.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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