VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Référence fabricant

VS-GB100TH120N

Numéro de pièce interne

ABC-VS-GB100TH120N

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

59181 Pieces

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Spécifications pour VS-GB100TH120N

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : VS-GB100TH120N

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type IGBT : -

Configuration : Half Bridge

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V

Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 200A

Puissance - Max : 833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 100A

Courant - Coupure Collecteur (Max) : 5mA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 8.58nF @ 25V

Contribution : Standard

Thermistance NTC : No

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Double INT-A-PAK (3 + 4)

Package d'appareils du fournisseur : Double INT-A-PAK

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : VS-G , VS-GB10

Documents pour VS-GB100TH120N

Feuilles de données : VS-GB100TH120N.pdf

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