SI1917EDH-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Référence fabricant

SI1917EDH-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI1917EDH-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI1917EDH-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI1917EDH-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 P-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 12V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 370 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 100µA (Min)

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Puissance - Max : 570mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6 (SOT-363)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI191 , SI1917E

Documents pour SI1917EDH-T1-E3

Feuilles de données : SI1917EDH-T1-E3.pdf

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