BUK9E1R6-30E,127 - MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Référence fabricant

BUK9E1R6-30E,127

Numéro de pièce interne

ABC-BUK9E1R6-30E,127

Fabricant

NXP USA Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BUK9E1R6-30E,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BUK9E1R6-30E,127

Fabricant : NXP USA Inc.

La description : MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Séries : TrenchMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 16150pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 349W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BUK9E , BUK9E1R6

Documents pour BUK9E1R6-30E,127

Feuilles de données : BUK9E1R6-30E,127.pdf

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