APTM100DA18CT1G - MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Référence fabricant

APTM100DA18CT1G

Numéro de pièce interne

ABC-APTM100DA18CT1G

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour APTM100DA18CT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTM100DA18CT1G

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Séries : POWER MOS 8™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 216 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 570nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14800pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 657W (Tc)

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Paquet / caisse : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTM1 , APTM100

Documents pour APTM100DA18CT1G

Feuilles de données : APTM100DA18CT1G.pdf

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