C3M0075120J - MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Référence fabricant

C3M0075120J

Numéro de pièce interne

ABC-C3M0075120J

Fabricant

Cree/Wolfspeed

Brève description

MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour C3M0075120J

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : C3M0075120J

Fabricant : Cree/Wolfspeed

La description : MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Séries : C3M™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 15V

Vgs (Max) : +19V, -8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 1000V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 113.6W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK-7

Paquet / caisse : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : C3M , C3M00

Documents pour C3M0075120J

Feuilles de données : C3M0075120J.pdf

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