IXTY08N100P - MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Référence fabricant

IXTY08N100P

Numéro de pièce interne

ABC-IXTY08N100P

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IXTY08N100P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTY08N100P

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252

Séries : Polar™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 42W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTY0

Documents pour IXTY08N100P

Feuilles de données : IXTY08N100P.pdf

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