GP2M005A060HG - MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Référence fabricant

GP2M005A060HG

Numéro de pièce interne

ABC-GP2M005A060HG

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour GP2M005A060HG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GP2M005A060HG

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 658pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 98.4W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GP2M , GP2M00

Documents pour GP2M005A060HG

Feuilles de données : GP2M005A060HG.pdf

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