TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Référence fabricant

TSM200N03DPQ33 RGG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM200N03DPQ33 RGG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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3756081 Pieces

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Spécifications pour TSM200N03DPQ33 RGG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM200N03DPQ33 RGG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V

Puissance - Max : 20W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (3x3)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM200 , TSM200N03

Documents pour TSM200N03DPQ33 RGG

Feuilles de données : TSM200N03DPQ33 RGG.pdf

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