IRFH7107TR2PBF - MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN

Référence fabricant

IRFH7107TR2PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFH7107TR2PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IRFH7107TR2PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFH7107TR2PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 75V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14A (Ta), 75A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3110pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRFH , IRFH710

Documents pour IRFH7107TR2PBF

Feuilles de données : IRFH7107TR2PBF.pdf

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