CTLDM8120-M621H TR - MOSFET P-CH 20V DFN6

Référence fabricant

CTLDM8120-M621H TR

Numéro de pièce interne

ABC-CTLDM8120-M621H TR

Fabricant

Central Semiconductor Corp

Brève description

MOSFET P-CH 20V DFN6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

44148 Pieces

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Spécifications pour CTLDM8120-M621H TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CTLDM8120-M621H TR

Fabricant : Central Semiconductor Corp

La description : MOSFET P-CH 20V DFN6

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 950mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.56nC @ 4.5V

Vgs (Max) : 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 16V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TLM621H

Paquet / caisse : 6-XFDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CTLDM8 , CTLDM8120

Documents pour CTLDM8120-M621H TR

Feuilles de données : CTLDM8120-M621H TR.pdf

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