RJL6013DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK

Référence fabricant

RJL6013DPE-00#J3

Numéro de pièce interne

ABC-RJL6013DPE-00#J3

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

70016 Pieces

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Spécifications pour RJL6013DPE-00#J3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RJL6013DPE-00#J3

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 810 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 4-LDPAK

Paquet / caisse : SC-83

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RJL60 , RJL6013D

Documents pour RJL6013DPE-00#J3

Feuilles de données : RJL6013DPE-00#J3.pdf

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