IRD3CH11DB6 - DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE

Référence fabricant

IRD3CH11DB6

Numéro de pièce interne

ABC-IRD3CH11DB6

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

42523 Pieces

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Spécifications pour IRD3CH11DB6

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRD3CH11DB6

Fabricant : Infineon Technologies

La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 25A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.7V @ 25A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 190ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 700nA @ 1200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : Die

Package d'appareils du fournisseur : Die

Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRD , IRD3C

Documents pour IRD3CH11DB6

Feuilles de données : IRD3CH11DB6.pdf

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