SI5402BDC-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Référence fabricant

SI5402BDC-T1-E3

Numéro de pièce interne

ABC-SI5402BDC-T1-E3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI5402BDC-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI5402BDC-T1-E3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.9A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.3W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 1206-8 ChipFET™

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI540 , SI5402B

Documents pour SI5402BDC-T1-E3

Feuilles de données : SI5402BDC-T1-E3.pdf

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