JAN1N5614US - DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Référence fabricant

JAN1N5614US

Numéro de pièce interne

ABC-JAN1N5614US

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

83349 Pieces

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Spécifications pour JAN1N5614US

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JAN1N5614US

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Séries : Military, MIL-PRF-19500/427

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.3V @ 3A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 2µs

Courant - Fuite inverse @ Vr : 500nA @ 200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SQ-MELF, A

Package d'appareils du fournisseur : D-5A

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 200°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JAN , JAN1N

Documents pour JAN1N5614US

Feuilles de données : JAN1N5614US.pdf

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