SQJ960EP-T1_GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 8A

Référence fabricant

SQJ960EP-T1_GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SQJ960EP-T1_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2N-CH 60V 8A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour SQJ960EP-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQJ960EP-T1_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2N-CH 60V 8A

Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 25V

Puissance - Max : 34W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQJ96 , SQJ960E

Documents pour SQJ960EP-T1_GE3

Feuilles de données : SQJ960EP-T1_GE3.pdf

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