FDMC3612 - MOSFET N-CH 100V 8-MLP

Référence fabricant

FDMC3612

Numéro de pièce interne

ABC-FDMC3612

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 100V 8-MLP

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour FDMC3612

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMC3612

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 100V 8-MLP

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.3A (Ta), 16A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 50V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.3W (Ta), 35W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-MLP (3.3x3.3)

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDMC

Documents pour FDMC3612

Feuilles de données : FDMC3612.pdf

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