SPP06N80C3XKSA1 - MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB

Référence fabricant

SPP06N80C3XKSA1

Numéro de pièce interne

ABC-SPP06N80C3XKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SPP06N80C3XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SPP06N80C3XKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 83W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SPP06 , SPP06N8

Documents pour SPP06N80C3XKSA1

Feuilles de données : SPP06N80C3XKSA1.pdf

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