AOTF10N65 - MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

Référence fabricant

AOTF10N65

Numéro de pièce interne

ABC-AOTF10N65

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour AOTF10N65

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AOTF10N65

Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

La description : MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1645pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3F

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AOT , AOTF

Documents pour AOTF10N65

Feuilles de données : AOTF10N65.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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