SIA915DJ-T4-GE3 - MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Référence fabricant

SIA915DJ-T4-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIA915DJ-T4-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

54132 Pieces

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Spécifications pour SIA915DJ-T4-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIA915DJ-T4-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET 2P-CH 30V SC70-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 P-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.7A (Ta), 4.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 87 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 15V

Puissance - Max : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIA91 , SIA915D

Documents pour SIA915DJ-T4-GE3

Feuilles de données : SIA915DJ-T4-GE3.pdf

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