DMP56D0UFB-7 - MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Référence fabricant

DMP56D0UFB-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMP56D0UFB-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour DMP56D0UFB-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMP56D0UFB-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 50V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.58nC @ 4V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50.54pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 425mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 3-DFN1006 (1.0x0.6)

Paquet / caisse : 3-UFDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMP5 , DMP56D

Documents pour DMP56D0UFB-7

Feuilles de données : DMP56D0UFB-7.pdf

Produits associés pour DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated

Numéro d'article	Marque	La description
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