TSM180N03PQ33 RGG - MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

Référence fabricant

TSM180N03PQ33 RGG

Numéro de pièce interne

ABC-TSM180N03PQ33 RGG

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

4063619 Pieces

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Spécifications pour TSM180N03PQ33 RGG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM180N03PQ33 RGG

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 21W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (3x3)

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM18 , TSM180N0

Documents pour TSM180N03PQ33 RGG

Feuilles de données : TSM180N03PQ33 RGG.pdf

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