MT41K256M16TW-107 AUT:P - IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Référence fabricant

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Numéro de pièce interne

ABC-MT41K256M16TW-107 AUT:P

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour MT41K256M16TW-107 AUT:P

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT41K256M16TW-107 AUT:P

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Séries : Automotive, AEC-Q100

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR3L

Taille mémoire : 4Gb (256M x 16)

Fréquence d'horloge : 933MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : 20ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.283V ~ 1.45V

Température de fonctionnement : -40°C ~ 125°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT41K25 , MT41K256M16

Documents pour MT41K256M16TW-107 AUT:P

Feuilles de données : MT41K256M16TW-107 AUT:P.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV.
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