MBR600200CT - DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
ABC-MBR600200CT
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour MBR600200CT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MBR600200CT
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode
Type de diode : Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 300A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 920mV @ 300A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 3mA @ 200V
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Twin Tower
Package d'appareils du fournisseur : Twin Tower
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MBR600200CT
Feuilles de données : MBR600200CT.pdf
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