RQ3E100BNTB - MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Référence fabricant

RQ3E100BNTB

Numéro de pièce interne

ABC-RQ3E100BNTB

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

6103951 Pieces

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Spécifications pour RQ3E100BNTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ3E100BNTB

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ3 , RQ3E1

Documents pour RQ3E100BNTB

Feuilles de données : RQ3E100BNTB.pdf

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