TSM2N7000KCT A3G - MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Référence fabricant

TSM2N7000KCT A3G

Numéro de pièce interne

ABC-TSM2N7000KCT A3G

Fabricant

Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

10518144 Pieces

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Spécifications pour TSM2N7000KCT A3G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TSM2N7000KCT A3G

Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation

La description : MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7.32pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 400mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-92

Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TSM2N , TSM2N700

Documents pour TSM2N7000KCT A3G

Feuilles de données : TSM2N7000KCT A3G.pdf

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