DMN2013UFX-7 - MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Référence fabricant

DMN2013UFX-7

Numéro de pièce interne

ABC-DMN2013UFX-7

Fabricant

Diodes Incorporated

Brève description

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

2083998 Pieces

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Spécifications pour DMN2013UFX-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DMN2013UFX-7

Fabricant : Diodes Incorporated

La description : MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 57.4nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2607pF @ 10V

Puissance - Max : 2.14W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-VFDFN Exposed Pad

Package d'appareils du fournisseur : W-DFN5020-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DMN2 , DMN201

Documents pour DMN2013UFX-7

Feuilles de données : DMN2013UFX-7.pdf

Produits associés pour DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated

Numéro d'article	Marque	La description
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