RW1C025ZPT2CR - MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Référence fabricant

RW1C025ZPT2CR

Numéro de pièce interne

ABC-RW1C025ZPT2CR

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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6033636 Pieces

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Spécifications pour RW1C025ZPT2CR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RW1C025ZPT2CR

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 6-WEMT

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RW1C , RW1C02

Documents pour RW1C025ZPT2CR

Feuilles de données : RW1C025ZPT2CR.pdf

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