TK31J60W,S1VQ - MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN

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Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK31J60W,S1VQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK31J60W,S1VQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 230W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P(N)
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK31 , TK31J6

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Feuilles de données : TK31J60W,S1VQ.pdf

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