RDN050N20FU6 - MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Référence fabricant

RDN050N20FU6

Numéro de pièce interne

ABC-RDN050N20FU6

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour RDN050N20FU6

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RDN050N20FU6

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Séries : -

Statut de la pièce : Last Time Buy

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 720 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 292pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 30W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220FN

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RDN0 , RDN050

Documents pour RDN050N20FU6

Feuilles de données : RDN050N20FU6.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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