FDMS003N08C - FET ENGR DEV-NOT REL

Référence fabricant

FDMS003N08C

Numéro de pièce interne

ABC-FDMS003N08C

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

FET ENGR DEV-NOT REL

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

233776 Pieces

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Spécifications pour FDMS003N08C

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDMS003N08C

Fabricant : ON Semiconductor

La description : FET ENGR DEV-NOT REL

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 80V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Ta), 147A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 56A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 310µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5350pF @ 40V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.7W (Ta), 125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : Power56

Paquet / caisse : 8-PowerTDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDM , FDMS0

Documents pour FDMS003N08C

Feuilles de données : FDMS003N08C.pdf

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