NTS2101PT1G - MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

Référence fabricant

NTS2101PT1G

Numéro de pièce interne

ABC-NTS2101PT1G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour NTS2101PT1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NTS2101PT1G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 8V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 290mW (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : SC-70-3 (SOT323)

Paquet / caisse : SC-70, SOT-323

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NTS , NTS21

Documents pour NTS2101PT1G

Feuilles de données : NTS2101PT1G.pdf

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