RQ3L050GNTB - MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

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MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RQ3L050GNTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RQ3L050GNTB
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 61 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 14.8W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RQ3 , RQ3L0

Documents pour RQ3L050GNTB

Feuilles de données : RQ3L050GNTB.pdf

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