APTMC120AM55CT1AG - MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Référence fabricant

APTMC120AM55CT1AG

Numéro de pièce interne

ABC-APTMC120AM55CT1AG

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

59417 Pieces

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Spécifications pour APTMC120AM55CT1AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : APTMC120AM55CT1AG

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 55A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V

Puissance - Max : 250W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : SP1

Package d'appareils du fournisseur : SP1

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : APTMC , APTMC120

Documents pour APTMC120AM55CT1AG

Feuilles de données : APTMC120AM55CT1AG.pdf

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