CMH04(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT

Référence fabricant

CMH04(TE12L,Q,M)

Numéro de pièce interne

ABC-CMH04(TE12L,Q,M)

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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5290096 Pieces

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Spécifications pour CMH04(TE12L,Q,M)

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CMH04(TE12L,Q,M)

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 980mV @ 1A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 35ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 200V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SOD-128

Package d'appareils du fournisseur : M-FLAT (2.4x3.8)

Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CMH04 , CMH04(TE

Documents pour CMH04(TE12L,Q,M)

Feuilles de données : CMH04(TE12L,Q,M).pdf

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